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芯片去层分析

为了逐层解析芯片的内部结构（包括钝化层、金属层、中介层等），可通过结合离子蚀刻、化学药液蚀刻与机械研磨等不同处理方式，实现芯片的去层（Delayer）。搭配芯片研磨（Polishing）技术，不仅能逐层检视是否存在缺陷，还能清晰呈现每一层电路的布线结构，为后续实验提供可靠依据。

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失效切片分析（FA-FIB)

双束聚焦离子束（Dual-beam FIB）机台具备离子束切割与电子束观察同步进行的能力，并可执行EDX成份分析，实现定点剖面制备与即时成分检测的整合。

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芯片开盖去除封胶

在芯片失效分析中，若要分析封装体内部的芯片、焊线及组件，需先移除阻挡观察的封装胶体。为此，可搭配使用「激光蚀刻」与「湿式蚀刻」两种技术进行开盖（Decap）与去胶（Compound Removal）。通过去除封胶，使内部的芯片、焊线等组件裸露出来，以便进行后续实验与观察。

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