应用环境失效 - 静电放电（ESD）损伤

某批次 MCU 芯片在客户端应用部署后，现场反馈出现特定 I/O 端口对地漏电现象，且失效模式具有一致性。

01. 外观检查：芯片封装完好，无划痕、裂纹等物理损伤。

02. 电性验证：确认失效品漏电I/O端口反向漏电流远超规格值。

03. 定位分析：利用OBIRCH锁定漏电点附近的异常发热“热点”。

04. 显微观察：结合SEM发现热点区域金属互连层存在飞溅状熔断痕迹。

静电放电产生的瞬间高压大电流，超过了芯片ESD保护电路的承受极限，导致栅氧化层击穿或引发闩锁效应，最终造成局部电路永久性烧毁。